logo
products
Главная страница /Продукция/

Сканеры рентгеновских трубопровода

Все продукты
Оставьте нам сообщение
Контактное лицо : JingAn Chen
Номер телефона : 8610 82921131,86 13261934319
Что такое? : +8613910983110
КИТАЙ Аморфные кремниевые датчики Детектор плоской панели Легкий, подходящий для обнаружения высокой энергии 15MV

Аморфные кремниевые датчики Детектор плоской панели Легкий, подходящий для обнаружения высокой энергии 15MV

MOQ: 1
Материал аморфный кремниевый датчик
температура 10-35°C (работа);-10~50°C (хранение)
Влажность 30-70% RH (неконденсирующий)
Наименование продукта DR цифровой детектор плоской панели
Тип сенсорного рецептора -Si
КИТАЙ Аморфные кремниевые датчики Плоская панель детектор Динамическая DR и неразрушительные испытания

Аморфные кремниевые датчики Плоская панель детектор Динамическая DR и неразрушительные испытания

MOQ: 1
Материал аморфный кремниевый датчик
температура 10-35°C (работа);-10~50°C (хранение)
Влажность 30-70% RH (неконденсирующий)
Наименование продукта DR цифровой детектор плоской панели
Тип сенсорного рецептора -Si
КИТАЙ Аморфный кремниевый датчик для визуализации зубов и промышленной инспекции

Аморфный кремниевый датчик для визуализации зубов и промышленной инспекции

MOQ: 1
Материал аморфный кремниевый датчик
температура 10-35°C (работа);-10~50°C (хранение)
Влажность 30-70% RH (неконденсирующий)
Наименование продукта DR цифровой детектор плоской панели
Тип рецептора IGZO
КИТАЙ 100 микрон Аморфный Кремний A Si Для различных областей, таких как DR Неразрушительные испытания

100 микрон Аморфный Кремний A Si Для различных областей, таких как DR Неразрушительные испытания

MOQ: 1
Материал аморфный кремниевый датчик
температура 10-35°C (работа);-10~50°C (хранение)
Влажность 30-70% RH (неконденсирующий)
Наименование продукта DR цифровой детектор плоской панели
Тип рецептора -Si
КИТАЙ 139 Микрон Аморфный Кремний А-Си Изогнутый А-Си DR Неразрушительные испытания

139 Микрон Аморфный Кремний А-Си Изогнутый А-Си DR Неразрушительные испытания

MOQ: 1
Материал аморфный кремниевый датчик
Температура 10-35°C (работа);-10~50°C (хранение)
влажность 30-70% RH (неконденсирующий)
Наименование продукта DR цифровой детектор плоской панели
Тип рецептора -Si
КИТАЙ 75 микрон Аморфный Кремний A Si Для различных областей A Si DR Неразрушительные испытания

75 микрон Аморфный Кремний A Si Для различных областей A Si DR Неразрушительные испытания

MOQ: 1
Материал аморфный кремниевый датчик
Температура 10-35°C (работа);-10~50°C (хранение)
влажность 30-70% RH (неконденсирующий)
Наименование продукта DR цифровой детектор плоской панели
Тип рецептора -Si
КИТАЙ 139 Микрон Аморфный Кремний A Si Для различных областей, таких как DR Неразрушительные испытания

139 Микрон Аморфный Кремний A Si Для различных областей, таких как DR Неразрушительные испытания

MOQ: 1
Материал аморфный кремниевый датчик
Температура 10-35°C (работа);-10~50°C (хранение)
влажность 30-70% RH (неконденсирующий)
Наименование продукта DR цифровой детектор плоской панели
Тип рецептора -Si
КИТАЙ Аппаратура индикатора ориентировки кристаллов полупроводника x Рэй пьезоэлектрического Кристл оптически Кристл сапфира

Аппаратура индикатора ориентировки кристаллов полупроводника x Рэй пьезоэлектрического Кристл оптически Кристл сапфира

MOQ: 1pcs
Сила входного сигнала 、 0.5KW、 50HZ одиночной фазы AC220V
Бренд HUATEC
Трубка луча x Медная цель с анодом заземляя, воздушным охлаждением силы
Напряжение трубки 30KVP, переключатель закрыло под полным напряжением тока
Течение трубки 0~5mA, непрерывное регулируемое
КИТАЙ Индикатор ориентировки кристаллов аппаратуры одиночной фазы x Рэй

Индикатор ориентировки кристаллов аппаратуры одиночной фазы x Рэй

MOQ: 1pcs
Сила входного сигнала 、 0.5KW、 50HZ одиночной фазы AC220V
Бренд HUATEC
Диаметр бара Кристл 6-8 дюймов кристаллического бара
Длина бара Кристл 150mm максимальное 180mm
прививать кристаллический диаметр ¢5-20
КИТАЙ Цель меди напряжения тока трубки аппаратуры 30kvp индикатора x Рэй ориентировки кристаллов с анодом

Цель меди напряжения тока трубки аппаратуры 30kvp индикатора x Рэй ориентировки кристаллов с анодом

MOQ: 1pcs
Сила входного сигнала 、 0.3KW、 50HZ одиночной фазы AC220V
Бренд HUATEC
Напряжение трубки 30KVP, переключатель закрыло под полным напряжением тока
Течение трубки 0~5mA, непрерывное регулируемое
Показ цифров θ: 、、 степени мельчайшее во-вторых; Минимальное чтение 10 ″
1 2 3 4 Next > Last Total 4 page
Связаться
7-й этаж, Чэньюань B Строительство, Mid. Дорога Jiancaicheng Хайдянь Dist.BeiJing, Китай 100096
export@huatecgroup.com
8610 82921131,86 13261934319
около
Компании Наша фабрика контроль качества контактные данные
Продукция
Ультразвуковой дефектоскопУльтразвуковой толщиномерТолщиномер покрытий Все категории
Написать нам
Сообщите нам свое требование. Мы свяжем с вами лучшие товары.
Карта сайта │ Мобильный сайт │ политика конфиденциальности
КИТАЙ хороший качество Ультразвуковой дефектоскоп поставщик. © 2011 - 2025 HUATEC GROUP CORPORATION. All Rights Reserved.